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在SGT MOSFET中灵活调节CRSS以平滑波形避免直流-直流器件中电磁干扰

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摘要

一种由多个功率晶体管晶胞构成的半导体功率器件，每个功率晶体管晶胞都具有一个沟槽式栅极，设置在栅极沟槽中，其中沟槽式栅极包括一个屏蔽底部电极，设置在栅极沟槽底部，通过一个中间电极绝缘层，与设置在栅极沟槽顶部的顶部栅极电极相隔离。至少一个晶体管晶胞含有屏蔽底部电极，作为源极‑连接屏蔽底部电极，电连接到半导体功率器件的源极电极，至少一个晶体管晶胞具有屏蔽底部电极，作为一个栅极‑连接屏蔽底部电极，电连接到半导体功率器件的栅极金属上。

著录项

公开/公告号CN103633068B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-10

原文格式PDF
申请/专利权人万国半导体股份有限公司;
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申请/专利号CN201310290017.0
发明设计人潘继;伍时谦;安荷·叭剌;王晓彬;
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申请日2013-07-10
分类号H01L23/552(20060101);H01L29/40(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人竺路玲
地址美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
入库时间 2022-08-23 09:43:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-12

专利权的转移 IPC(主分类):H01L23/552 登记生效日:20200522 变更前: 变更后: 申请日:20130710

专利申请权、专利权的转移
2016-08-10

授权

授权
2016-08-10

授权

授权
2014-04-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/552 申请日:20130710

实质审查的生效
2014-04-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/552 申请日:20130710

实质审查的生效
2014-03-12

公开

公开
2014-03-12

公开

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外文文献

1. 在SGT MOSFET中灵活调节CRSS以平滑波形避免直流-直流器件中电磁干扰 [P] . 中国专利： CN103633068B . 2016.08.10
2. 从振动波形中移除渐近衰减的直流偏置影响 [P] . 中国专利： CN114076678A . 2022-02-22
3. Flexible Crss adjustment in a SGT MOSFET to smooth waveforms and to avoid EMI in DC-DC application [P] . 美国专利： US9570404B2 . 2017-02-14

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4. FLEXIBLE CRSS ADJUSTMENT IN A SGT MOSFET TO SMOOTH WAVEFORMS AND TO AVOID EMI IN DC-DC APPLICATION [P] . 美国专利： US2016315053A1 . 2016-10-27

机译：在SGT MOSFET中灵活调整CRSS以实现平滑波形并避免DC-DC应用中的EMI
5. Flexible Crss adjustment in a SGT MOSFET to smooth waveforms and to avoid EMI in DC-DC application [P] . 美国专利： US8692322B2 . 2014-04-08

机译： SGT MOSFET中的灵活的Crss调整可平滑波形并避免DC-DC应用中的EMI