公开/公告号CN215020223U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 印第安纹剥离美学(深圳)有限公司;
申请/专利号CN202120300462.0
发明设计人 高百双;
申请日2021-02-02
分类号A61F7/00(20060101);A61F15/00(20060101);
代理机构44521 深圳市壹壹壹知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人阮帆
地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街道海珠社区海德三道15号海岸大厦东座707
入库时间 2022-08-23 03:03:50
机译: 用于半导体晶片的局部处理装置将粘合箔施加到由剥离箔覆盖的半导体晶片上,该剥离箔用于去除粘合箔的限定区域
机译: 一种具有可弹性移动的剥离工具的装置,该剥离工具用于去除线圈纱的残余物。
机译: 一种剥离刀装置,用于剥离已经沉积在辊上的材料并在片材成形中将其从辊上去除