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提升氮源溶解度的半导体晶体的生长系统

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本实用新型公开了一种提升氮源溶解度的半导体晶体的生长系统。所述系统包括助熔剂法半导体晶体生长设备，以及，所述的系统还包括N等离子体发生器，所述的N等离子体发生器至少用于：对所述半导体晶体生长所需的籽晶和/或衬底进行N等离子体处理，以使所述籽晶和/或衬底表面产生缺陷位点；和/或，提供N等离子体作为所述半导体晶体生长所需的氮源。本实用新型提供的一种提升氮源溶解度的半导体晶体的生长系统，采用氮等离子体发生器产生氮等离子体，然后利用氮等离子体处理籽晶/衬底，并且利用氮等离子体发生器产生氮等离子体作为氮源，从而能够同时提升半导体晶体的生长均匀性以及晶体生长质量。

著录项

公开/公告号CN215800039U

专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-11

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
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申请/专利号CN202122274600.5
发明设计人司志伟;刘宗亮;徐科;
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申请日2021-09-18
分类号C30B19/02(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王锋
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2022-08-23 04:45:02

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-02-11

授权

实用新型专利权授予

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