• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 一种载流子迁移率高的MOSFET

一种载流子迁移率高的MOSFET

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种载流子迁移率高的MOSFET，硅衬底的顶部设有二氧化硅层，二氧化硅层的厚度在50nm～70nm之间，硅衬底的顶部的左部和右部分别设有掺杂层，二氧化硅层和掺杂层上设有介电层，介电层的厚度在25nm～35nm之间，介电层上在掺杂层的对应区域开设有接触孔，接触孔内设有金属电极，金属电极与掺杂层电连接，介电层的顶部在两金属电极之间设有栅极金属层，本实用新型通过增加二氧化硅层的厚度即增加本实用新型在实际制作时的二氧化硅层的生长和退火时间，有利于硅衬底上未被氧化的区域与二氧化硅层的接触界面的平坦化，进而降低硅衬底上未被氧化的区域与二氧化硅层的接触界面的粗糙度，进而抑制界面散射，提高MOSFET的电子迁移率。

著录项

  • 公开/公告号CN216354226U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡市捷瑞微电子有限公司;

    申请/专利号CN202123086106.2

  • 发明设计人 毛昊源;

    申请日2021-12-09

  • 分类号H01L29/06;H01L29/78;

  • 代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郭慧

  • 地址 214000 江苏省无锡市锡山经济技术开发区荟智企业中心凤威路2号A310

  • 入库时间 2022-08-23 06:14:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-19

    授权

    实用新型专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号