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用垂直于分离面的激光束分离半导体晶体的表面层的方法

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本发明提供了分离半导体晶体（101）的表面层（307）的方法的两个变型。在该方法的第一变型中，聚焦激光束（102）被引导到晶体（101）上，使得焦点位于垂直于所述光束（102）的轴线（103）的层分离平面（304）中，使激光束（102）运动，以便在从晶体（101）的开放侧表面深入晶体的方向上用焦点扫描层分离平面（304），以形成连续狭缝，该连续狭缝的宽度随着激光束（102）的每次经过而增大，前面的操作被执行直至表面层（307）分离。在该方法的第二变型中，产生脉冲激光发射；聚焦激光束被引导到晶体上，使得焦点位于垂直于所述光束的轴线的层分离平面中，使激光束运动，使得焦点在层分离平面中运动，从而形成具有晶体结构的受扰拓扑并且具有减少的原子间键的非重叠局部区域，其中所述局部区域分布在整个所述平面上，扰乱所述减少的原子间键的外部作用被施加到可分离层上。

著录项

公开/公告号CN103459082B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔;尤里·托马索维奇·列巴涅;阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫;
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申请/专利号CN201180066293.8
发明设计人尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔;尤里·托马索维奇·列巴涅;阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫;
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申请日2011-11-29
分类号B23K26/00(20140101);B23K26/402(20140101);B23K26/38(20140101);B28D1/22(20060101);B28D5/00(20060101);C03B33/00(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人李静;陈伟伟
地址俄罗斯圣彼得堡
入库时间 2022-08-23 09:45:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-31

授权

授权
2014-01-15

实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 26/00 申请日:20111129

实质审查的生效
2013-12-18

公开

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