首页> 中国专利> 包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法

包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，包括自下而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极，其特征在于，所述抗反膜有若干层，自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小。其制备方法是采用斜角入射物理沉积法，通过调整入射角度和沉积材料，生成多层折射率不同的抗反膜。本发明大大优化了硅太阳能电池的光吸收，从而提高了电池效率。这种方法不会损伤硅晶体本身的光伏特性，能够真正将多吸收的光转化为电能。提高光转化效率，将极大地推动太阳能电池产品的发展。

著录项

公开/公告号CN103035752B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-07

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
展开▼

申请/专利号CN201310029855.2
发明设计人张宇翔;朱煜;黄寓洋;宋贺伦;张耀辉;
展开▼

申请日2013-01-25
分类号
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人杨林
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
入库时间 2022-08-23 09:46:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-09-07

授权

授权
2013-05-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20130125

实质审查的生效
2013-04-10

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P] . 中国专利： CN103035752B . 2016.09.07
2. 一种复合减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法 [P] . 中国专利： CN105977313B . 2017.05.31
3. CONDUCTIVE NANOSTRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE NANOSTRUCTURE, CONDUCTIVE POLYMER FILM CONTAINING THE NANOSTRUCTURE, AND ELECTRONIC DEVICE CONTAINING THE FILM [P] . 日本专利： JP2018066022A . 2018-04-26

机译：导电纳米结构，制备纳米结构的方法，包含纳米结构的导电聚合物膜以及包含该膜的电子设备
4. ELECTRICALLY CONDUCTIVE NANOSTRUCTURE, METHOD FOR MAKING SUCH NANOSTRUCTURE, ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER FILM CONTAINING SUCH NANOSTRUCTURE, AND ELECTRONIC DEVICE CONTAINING SUCH FILM [P] . 日本专利： JP2017078177A . 2017-04-27

机译：导电纳米结构，制造这种纳米结构的方法，包含这种纳米结构的导电聚合物膜以及包含这种膜的电子设备
5. ELECTRICALLY CONDUCTIVE NANOSTRUCTURE, METHOD FOR MAKING SUCH NANOSTRUCTURE, ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER FILM CONTAINING SUCH NANOSTRUCTURE, AND ELECTRONIC DEVICE CONTAINING SUCH FILM [P] . 日本专利： JP2016210964A . 2016-12-15

机译：导电纳米结构，制造这种纳米结构的方法，包含这种纳米结构的导电聚合物膜以及包含这种膜的电子设备