首页> 中国专利> 一种纳米晶量子点薄膜、使用该薄膜改性的晶体硅太阳能电池及其制备方法

一种纳米晶量子点薄膜、使用该薄膜改性的晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米晶量子点薄膜、使用该薄膜改性的晶体硅太阳能电池及其制备方法,所述纳米晶量子点薄膜包括纳米晶量子点分散层,所述纳米晶量子点分散层包含CdS纳米晶量子点。本发明的纳米晶量子点薄膜,包含CdS纳米晶量子点,CdS纳米晶量子点具有被高能的蓝光和紫外线灯高能光子轰击时,释放两个以上电子的特性;并且研究表明,一个CdS纳米晶量子点吸收一个光子后可以发射2~7个电子;同时,CdS纳米晶量子点将紫外光吸收后,以荧光形式发射出蓝绿光,以利于晶体硅太阳能电池吸收发电,且发射出得蓝绿光光子数多于紫外光光子数;将该薄膜覆于晶体硅太阳能电池的工作面上,可大幅度提高太阳能电池的光电转换效率。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/036 授权公告日:20161005 终止日期:20170718 申请日:20140718

    专利权的终止

  • 2016-10-05

    授权

    授权

  • 2016-10-05

    授权

    授权

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/036 申请日:20140718

    实质审查的生效

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/036 申请日:20140718

    实质审查的生效

  • 2015-02-04

    公开

    公开

  • 2015-02-04

    公开

    公开

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