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防止抗蚀剂中图象毁坏的显影剂/漂洗液的组成

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摘要

提供一种显影例如半导体晶片的电子元件衬底上的光致抗蚀剂图案的装置与方法。此方法与装置使用一个专门规定的显影剂合成物，后随一个专门规定的漂洗液合成物以显影经曝光的抗蚀剂图案然后漂洗经显影的图案。显影剂合成物与漂洗液合成物都含有负离子表面活化剂，且当按次序使用这两种溶液时，发现了即使当形成例如线宽小于150nm而高宽比大于3左右的小特征时仍能提供防止图象毁坏的抗蚀剂图案。优选使用搅拌显影与搅拌漂洗处理以显影与漂洗经曝光的晶片。优选的负离子表面活化剂是全氟烷基磺酸铵与含氟烷基羧酸铵。

著录项

公开/公告号CN1206575C

专利类型发明授权
公开/公告日2005-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN02104699.9
发明设计人斯科特·A.·麦西克;韦恩·M.·摩里奥;克里斯托弗·F.·罗宾逊;
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申请日2002-02-20
分类号G03F7/26;G03F7/30;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 08:57:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-04-25

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/26 授权公告日:20050615 终止日期:20110220 申请日:20020220

专利权的终止
2005-06-15

授权

授权
2002-12-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2002-10-02

公开

公开
2002-05-29

实质审查的生效

实质审查的生效

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