首页> 中国专利> 测试MOSFET匹配性的IC布局及测试方法

测试MOSFET匹配性的IC布局及测试方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种测试MOSFET匹配性的集成电路布局及测试方法，主要内容包括：位于半导体基底上相邻的第一焊垫组、第一MOSFET组、第一导线以及与所述第一焊垫组、第一MOSFET组、第一导线镜像对称的第二焊垫组和第二MOSFET组、第二导线。在本发明实施例的方案中，由于上述镜像对称关系，保证了第一MOSFET组中的第一MOSFET的栅极、漏极、源极衬底到相应焊垫的导线的长度，与第二MOSFET组中的第二MOSFET中栅极、漏极、源极衬底到相应焊垫的导线的长度相同，导线的长度相同意味着电阻相同，因此，利用此种集成电路布局来测试MOSFET匹配性时，测试结果的准确性较高。

著录项

公开/公告号CN103837809B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-07

原文格式PDF
申请/专利权人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201210484452.2
发明设计人文燕;陈建国;潘光燃;张枫;李娜;
展开▼

申请日2012-11-23
分类号
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司;
代理人黄志华
地址 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
入库时间 2022-08-23 09:49:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-12-07

授权

授权
2014-07-02

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20121123

实质审查的生效
2014-06-04

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 测试MOSFET匹配性的IC布局及测试方法 [P] . 中国专利： CN103837809B . 2016.12.07
2. 一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器 [P] . 中国专利： CN110266179B . 2022.02.25
3. ic testing method and ic test method using this work of ic testing device [P] . 德国专利： DE000019782244T5 . 2000-01-05

机译： ic测试方法和使用ic测试装置的这项工作的ic测试方法
4. IC TESTING METHOD AND IC TESTING DEVICE USING THE TESTING METHOD [P] . 日本专利： JP2004101340A . 2004-04-02

机译： IC测试方法及使用该测试方法的IC测试装置
5. Uses IC ON test method and this ON test method IC test equipment [P] . 日本专利： JP3426254B2 . 2003-07-14

机译：使用IC ON测试方法和此ON测试方法IC测试设备