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生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜及其制备方法和应用

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摘要

本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜，包括Al2O3衬底及其(0001)面往(10‑10)面方向偏0.2°依次外延生长的AlN形核层和AlN薄膜。本发明还涉及该AlN薄膜的制备方法，包括如下步骤：a.将Al2O3衬底进行清洁、退火处理；b.在经过a步骤处理的Al2O3衬底上外延生长一层AlN形核层；c.在经过b步骤生长出的AlN形核层上再外延生长一层AlN薄膜。本发明还涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜用于制备氮化物器件光电器件；或者用作SOI材料的绝缘埋层、声表面波器件用压电薄膜。本发明的AlN薄膜成本低、质量优、均匀性高，应用广泛。

著录项

  • 公开/公告号CN103996606B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广州市众拓光电科技有限公司;

    申请/专利号CN201410240826.5

  • 发明设计人 李国强;

    申请日2014-05-30

  • 分类号H01L21/20(20060101);H01L21/268(20060101);H01L33/32(20100101);H01L31/0352(20060101);

  • 代理机构44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人汤喜友

  • 地址 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-10

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 登记生效日:20200320 变更前: 变更后: 申请日:20140530

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-01-25

    授权

    授权

  • 2017-01-25

    授权

    授权

  • 2014-09-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20140530

    实质审查的生效

  • 2014-09-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20140530

    实质审查的生效

  • 2014-08-20

    公开

    公开

  • 2014-08-20

    公开

    公开

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