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在非天然表面上形成具有减小的表面粗糙度和体缺陷密度的异质层的方法以及由此形成的结构

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描述了在非天然表面上形成具有减小的表面粗糙度和体缺陷密度的异质层的方法以及由此形成的器件。在一个实施例中，该方法包括提供带有具有晶格常数的顶表面的衬底以及将第一层沉积在衬底的顶表面上。第一层具有顶表面，该顶表面的晶格常数不同于衬底的顶表面的第一晶格常数。第一层被退火并抛光以形成抛光表面。第二层然后沉积在抛光表面之上。

著录项

公开/公告号CN104160478B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-15

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201180076458.X
发明设计人 N·慕克吉;M·V·梅茨;J·M·鲍尔斯;V·H·勒;B·朱-金;M·R·勒梅;M·拉多萨夫列维奇;N·戈埃尔;L·周;P·G·托尔钦斯基;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;
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申请日2011-12-28
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人韩宏
地址美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 09:51:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-05-24

著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 申请日:20111228

著录事项变更
2017-02-15

授权

授权
2014-12-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20111228

实质审查的生效
2014-11-19

公开

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