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新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件

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摘要

本发明提供了一种新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件。新型薄膜晶体管包括：栅极、源极以及漏极；衬底；栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上的Mg_xZn_1‑xO沟道层，其中0≤x≤1；其还包括：布置在所述Mg_xZn_1‑xO沟道层与所述源极之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层由绝缘材料形成。本发明的Mg_xZn_1‑xO新型薄膜晶体管，通过在沟道层和源极之间设置第二绝缘层作为势垒层，结合晶体管栅压的极性调控作用，改变了传统的晶体管特性，具有新颖的I‑V特性，构成新颖的器件结构，可应用于不同的光电子和微电子器件领域。

著录项

公开/公告号CN104134700B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院物理研究所;
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申请/专利号CN201410349844.7
发明设计人梅增霞;叶大千;刘利书;梁会力;刘尧平;杜小龙;
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申请日2014-07-22
分类号H01L29/786(20060101);H01L31/113(20060101);
代理机构11391 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人范晓斌;郭海彬
地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-23 09:51:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-02-01

授权

授权
2014-12-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20140722

实质审查的生效
2014-11-05

公开

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