• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法

AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1‑xN层、n型AlxGa1‑xN层、i型Aly1Ga1‑y1N层、n型AlyGa1‑yN组分渐变层、i型Aly2Ga1‑y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN105590971B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN201610156889.1

  • 发明设计人 陈敦军;董可秀;张荣;郑有炓;

    申请日2016-03-18

  • 分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/0304(20060101);H01L31/107(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王清义

  • 地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-08

    授权

    授权

  • 2016-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20160318

    实质审查的生效

  • 2016-05-18

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号