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一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法

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摘要

本发明公开了一种采用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法，其步骤如下：步骤一：在基板表面制备种子层；步骤二：在种子层表面继续制备金属薄膜；步骤三：在金属薄膜表面制备Sn膜；步骤四：加热上述基板及双层薄膜，制备出金属间化合物薄膜；步骤五：将金属间化合物薄膜分别转移到芯片、基板焊盘表面；步骤六：在金属间化合物薄膜表面镀Sn薄膜；步骤七：将焊盘对接，施加压力，放入回流炉中，经历预热、保温、再流、冷却阶段。本发明大大缩短可用于高温封装互连的金属间化合物焊点的制备时间，并实现对后续生长金属间化合物的晶粒取向和数量的控制，达到金属间化合物焊点快速制备、微观组织可控的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN105081500B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201510553532.2

  • 发明设计人 刘威;王春青;田艳红;安荣;郑振;

    申请日2015-09-02

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨龙科专利代理有限公司;

  • 代理人高媛

  • 地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-22

    授权

    授权

  • 2015-12-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 1/19 申请日:20150902

    实质审查的生效

  • 2015-11-25

    公开

    公开

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