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公开/公告号CN1234175C
专利类型发明授权
公开/公告日2005-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN01810810.5
发明设计人 J·卡尔普;J·纳亚克;W·劳施;M·希罗尼;S·沃尔德曼;N·萨姆德默;
申请日2001-05-23
分类号H01L29/786;H01L29/10;
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人李峥;于静
地址 美国纽约
入库时间 2022-08-23 08:58:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-12-28
授权
2003-10-22
实质审查的生效
2003-08-06
公开
机译: 带有晕圈源/漏扩散的芯片上无晕圈的非整流触点
机译:晕圈MOSFET的异常漏极电流特性分析
机译:双线性晕环轻掺杂漏极和源极CNTFET的截止频率研究
机译:闪回半径作为物理晕圈的边界和晕圈质量的增长
机译:案例研究:跟踪和可视化宇宙学模拟中暗物质晕圈的演变和卫星晕群
机译:用于深亚微米技术的非升高和升高的源极/漏极p沟道MOSFET的设计,制造和表征
机译:病例报告:过早心室节拍诱导慢性咳嗽和咳嗽晕圈
机译:一项旨在检测面外扩散电离的H-alpha调查 在边缘螺旋星系的晕圈中的气体。 I.气态晕圈有多常见 在非星暴星系中?
机译:用加权多项式扩散和摄动分析研究连续梁中晕圈的形成