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利用电路三要素理论的主从跟随器型单边沿K值触发器的构建方法及其电路

摘要

本发明公开一种利用电路三要素理论的主从跟随器型单边沿K值触发器的构建方法及其电路;利用电路三要素理论得出一种用数字跟随器和模拟跟随器混合组成的主从跟随器型单边沿K值触发器,采用与众不同的3拍的工作方式,时钟下降沿触发,在8种最佳编码下均得出相同的最简元件级电路结构,因从跟随器是1个NMOS管源级跟随器,随K值增大,K=4,5,6,…,仅主跟随器结构规模变大,其余电路结构不变,主跟随器采用高通变阈型PMOS管构成的数字跟随器,具有输出逻辑电平钳位功能,抗干扰能力强;主从跟随器型单边沿K值触发器电路结构简单,可作为K值SSRAM的K值静态存储单元;可用于FPGA、CPLD、半或全制定ASIC和存储器等VLSI及其它数字IC技术领域。

著录项

  • 公开/公告号CN104300940B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黑龙江大学;

    申请/专利号CN201410520698.X

  • 发明设计人 方振贤;刘莹;方倩;

    申请日2014-10-01

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人何强

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-03

    授权

    授权

  • 2015-02-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 3/3562 申请日:20141001

    实质审查的生效

  • 2015-01-21

    公开

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