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一种在GaN衬底上同质外延生长的方法

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摘要

本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到10

1. 一种在GaN衬底上同质外延生长的方法 [P] . 中国专利： CN104347356B . 2017.05.17
2. 一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al₂O₃复合衬底上制备高亮度同质LED的方法 [P] . 中国专利： CN105449051B . 2018.03.27
3. GaN semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by epitaxial growth on the GaN semiconductor substrate [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1630878B1 . 2017-10-18

机译： GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
4. GaN semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by epitaxial growth on the GaN semiconductor substrate [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1630878A3 . 2011-05-04

机译： GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
5. GaN semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by epitaxial growth on the GaN semiconductor substrate [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1630878A2 . 2006-03-01

机译： GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件