退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN104659122B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司;
申请/专利号CN201510071841.6
发明设计人 侯伟;王世贤;韩忠;刘杨;李红亮;
申请日2015-02-07
分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构
代理人
地址 066001 河北省秦皇岛市海港区北部工业区揽月街33号
入库时间 2022-08-23 09:57:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-16
授权
2015-06-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20150207
实质审查的生效
2015-05-27
公开
机译: 锂硅电池阳极硅酸镍纳米粒中的硅纳米晶结构
机译: 非晶聚酯切片及其制造方法和非晶聚酯切片的储存方法
机译:结合了纳米晶硅的高效多结薄膜硅电池
机译:晶硅电池将在5年内进行彻底审查,以达到25%的效率
机译:光伏V:非晶硅电池:高度均匀的非晶半导体材料有望实现低成本太阳能电池
机译:一种新型超支三苯基滤光片液晶的合成与介于脱晶特性
机译:金属化 , 掺杂 的制备 和混合 基于 纳米晶 锐钛型 二氧化钛 纳米晶 : 从 内到外 纳米晶 装饰
机译:肾上腺素微晶从快速崩解片的舌下扩散对过敏反应的潜在急救方法:体内和体外研究
机译:光闸效应作为纳米晶硅电池中的缺陷探针
机译:简化的高效硅电池处理。