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浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构和方法

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本发明提供一种浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构和方法，所述测试结构中浅沟槽隔离结构呈锯齿形，栅极结构呈梳齿状，所述浅沟槽隔离结构的延展方向与所述栅极结构的梳齿延展方向相交且所述浅沟槽隔离结构的锯齿位于所述栅极结构的相邻梳齿之间，所述测试方法侦测任意两根梳齿之间的包含漏电流和/或击穿电压在内的电学参数以判断两根梳齿之间的浅沟槽隔离结构是否出现边沟以及是否出现栅极桥接，有效判断边沟问题是否严重，从而提供了一种新的、有效的晶圆可接受性测试结构和方法。

著录项

公开/公告号CN104425455B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-27

原文格式PDF
申请/专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
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申请/专利号CN201310407941.2
发明设计人包小燕;葛洪涛;
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申请日2013-09-09
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:57:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-06-27

授权

授权
2015-04-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20130909

实质审查的生效
2015-03-18

公开

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