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基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器及激光器阵列

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本发明公开了一种基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅采用叠印啁啾光栅结构，由两个完全相同纳米精度的啁啾光栅在激光器腔内纵向排列组成；两个啁啾光栅级联或者重叠写入。两个完全相同的啁啾光栅在激光器光栅层纵向叠印后，可以以这两个光栅为反射面形成分布式谐振腔，从而产生多波长激射。为了降低加工成本，引入重构‑等效啁啾技术（REC技术），将加工精度要求从亚纳米降低到亚微米，本发明还提供两种DFB半导体激光器单片集成的激光器阵列。基于REC技术的叠印啁啾结构的多波长DFB半导体激光器，采用采样布拉格光栅替代普通布拉格光栅，用等效光栅来实现叠印啁啾结构，降低了工艺的复杂程度，也提高了成品率。

著录项

公开/公告号CN103746288B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-14

原文格式PDF
申请/专利权人南京大学;
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申请/专利号CN201310717150.X
发明设计人郑吉林;李玮淳;陈向飞;
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申请日2013-12-23
分类号
代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);
代理人陈建和
地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
入库时间 2022-08-23 09:58:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-14

授权

授权
2014-05-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/12 申请日:20131223

实质审查的生效
2014-05-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/12 申请日:20131223

实质审查的生效
2014-04-23

公开

公开
2014-04-23

公开

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专利
中文文献
外文文献

1. 基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器及激光器阵列 [P] . 中国专利： CN103746288B . 2017.07.14
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