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一种背景电离层对GEOSAR成像影响分析方法及其验证方法

摘要

本发明公开了一种背景电离层对GEO SAR成像影响分析方法,该方法首先根据GEO SAR卫星的弯曲轨迹特性,建立基于范数的弯曲轨迹斜距c模型;然后获得背景电离层影响下的GEO SAR回波信号,提取信号参数,测量GEOSAR卫星传播路径上的TEC数据;计算并判断距离向二次相位误差是否超过阈值T

著录项

  • 公开/公告号CN104793191B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201510054853.8

  • 发明设计人 胡程;曾涛;田野;龙腾;

    申请日2015-02-03

  • 分类号

  • 代理机构北京理工大学专利中心;

  • 代理人仇蕾安

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:58:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-11

    授权

    授权

  • 2015-08-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01S 7/40 申请日:20150203

    实质审查的生效

  • 2015-08-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01S 7/40 申请日:20150203

    实质审查的生效

  • 2015-07-22

    公开

    公开

  • 2015-07-22

    公开

    公开

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