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用于测量接触电阻的TFT及接触电阻的测量方法

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本发明提供了一种用于测量接触电阻的TFT及接触电阻的测量方法，该TFT包括有源层、栅极和栅极绝缘层，有源层上设有沟道和至少三个掺杂区，两个掺杂区之间通过沟道连接，在测量接触电阻时，以其中两个掺杂区作为测试点进行测量；栅极与沟道对应设置；栅极绝缘层用于隔离有源层和栅极。本发明均一性好，制程、成膜质量以及界面性质最大程度的相似，提高了测量准确性，同时节省了分布区域，提高了试验区域的利用率。

著录项

公开/公告号CN105223420B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-07

原文格式PDF
申请/专利权人深圳市华星光电技术有限公司;
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申请/专利号CN201510629332.0
发明设计人孙博;邹晓灵;
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申请日2015-09-28
分类号G01R27/02(20060101);G01R31/26(20140101);H01L21/66(20060101);
代理机构44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人何青瓦
地址 518006 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
入库时间 2022-08-23 09:58:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-07

授权

授权
2016-02-03

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 27/02 申请日:20150928

实质审查的生效
2016-02-03

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 27/02 申请日:20150928

实质审查的生效
2016-01-06

公开

公开
2016-01-06

公开

公开

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