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一种弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷的太阳能电池及方法

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本发明公开了一种弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷的太阳能电池及方法。该电池具有p型非晶层和n型非晶层。该方法是：按照沉积膜层的顺序，在沉积多结多叠层的薄膜太阳能电池p型微晶层之后，沉积一层p型非晶层；并在沉积微晶本征层之后，沉积一层n型非晶层。对于较厚的微晶本征层，在其生长过程中沉积一薄层本征非晶层来覆盖微晶层生长过程中因为晶粒相互挤压和晶粒异常长大所造成的裂痕缝隙和表面缺陷。通过控制p型，n型非晶层的参杂浓度，厚度，折射率，导电率，控制微晶层的晶化率60％‐80％，改善光的吸收，减少因此造成的漏电流，从而达到提升电池效率的目的。电池转换效率可提升1％—10％，并具有较好的稳定性。

著录项

公开/公告号CN104716220B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-04

原文格式PDF
申请/专利权人湖南共创光伏科技有限公司;
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申请/专利号CN201510069037.4
发明设计人杨晶晶;李廷凯;谭学仕;毛炳雪;张峰;
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申请日2015-02-10
分类号
代理机构长沙正奇专利事务所有限责任公司;
代理人马强
地址 421001 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区鸿园路1号
入库时间 2022-08-23 09:58:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-08-04

授权

授权
2015-07-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/076 申请日:20150210

实质审查的生效
2015-07-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/076 申请日:20150210

实质审查的生效
2015-06-17

公开

公开
2015-06-17

公开

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