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用于将InP薄膜转移到加强基板上的方法

摘要

本发明涉及用于将InP薄膜转移到加强基板上的方法,该方法包括由以下组成的步骤:a)提供一种结构,其包括InP表面层(5)和在下面的掺杂InP薄层(4);b)通过表面层(5)注入氢离子以在掺杂薄层(4)中产生弱化平面(7),从而划界包括表面层(5)的薄膜;c)使表面层(5)紧密接触加强基板而设置;以及d)施加热处理以在弱化平面(7)处获得分裂并将薄膜转移到加强基板上。

著录项

  • 公开/公告号CN103632924B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 法国原子能及替代能源委员会;

    申请/专利号CN201310364487.7

  • 发明设计人 奥雷莉·托赞;

    申请日2013-08-20

  • 分类号

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人余刚

  • 地址 法国巴黎

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/02 授权公告日:20171020 终止日期:20190820 申请日:20130820

    专利权的终止

  • 2017-10-20

    授权

    授权

  • 2017-10-20

    授权

    授权

  • 2015-07-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20130820

    实质审查的生效

  • 2015-07-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20130820

    实质审查的生效

  • 2015-07-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20130820

    实质审查的生效

  • 2014-03-12

    公开

    公开

  • 2014-03-12

    公开

    公开

  • 2014-03-12

    公开

    公开

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