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增大湿法去除未反应的镍铂硅化物之工艺窗口的方法

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摘要

一种增大湿法去除未反应的镍铂硅化物之工艺窗口的方法，包括：执行步骤S1：在70℃的SC‑1(NH

1. 增大湿法去除未反应的镍铂硅化物之工艺窗口的方法 [P] . 中国专利： CN104183482B . 2017.10.27
2. 增大多晶硅栅极硬掩膜去除工艺窗口的方法 [P] . 中国专利： CN110491780A . 2019-11-22
3. Method for fabricating a semiconductor memory device that includes silicidizing a portion of a platinum group layer to form a silicide region and selectively removing the silicide region to define a bottom electrode of a capacitor [P] . 美国专利： US7381614B2 . 2008-06-03

机译：用于制造半导体存储器件的方法，该方法包括硅化一部分铂族层以形成硅化物区域并选择性地去除硅化物区域以限定电容器的底部电极
4. A method of the method and expanding the process window for the formation of silicide, germanide or germanosilicid in structures with extremely small dimensions [P] . 德国专利： DE112012000272T8 . 2013-12-24

机译：一种扩大尺寸的结构中形成硅化物，锗化物或锗硅化物的方法的方法和扩大工艺窗口的方法
5. A method of the method and expanding the process window for the formation of silicide, germanide or germanosilicid in structures with extremely small dimensions [P] . 德国专利： DE112012000272T5 . 2013-10-24

机译：一种扩大尺寸的结构中形成硅化物，锗化物或锗硅化物的方法的方法和扩大工艺窗口的方法