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一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法

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本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S₂₁|和噪声系数NF，(2)对待测样品持续注入一定时间，(3)测量本次注入后待测样品的|S₂₁|和NF，(4)增大注入信号平均功率，反复进行(2)和(3)两步，直到|S₂₁|和NF发生剧烈恶化为止；四、绘制|S₂₁|和NF随着注入功率P_in增大而变化的双y轴坐标系曲线图，从中提取退化功率阈值和损伤功率阈值。本发明的有益之处在于：功率注入效果更好，阈值测量结果更能反映出低噪放实际工作条件下的抗功率程度；可得到退化功率阈值，满足了低噪放高可靠性和用于高灵敏度电子设备中低噪声的要求。

著录项

公开/公告号CN105137243B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-12-08

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201510573741.3
发明设计人柴常春;于新海;杨银堂;史春蕾;刘阳;樊庆扬;
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申请日2015-09-10
分类号G01R31/00(20060101);G01R31/28(20060101);
代理机构11368 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙);
代理人郭官厚
地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号西安电子科技大学
入库时间 2022-08-23 10:04:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-08

授权

授权
2016-01-06

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/00 申请日:20150910

实质审查的生效
2015-12-09

公开

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