退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN105022859B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 西北核技术研究所;
申请/专利号CN201510233269.9
发明设计人 罗尹虹;张凤祁;郭红霞;陈伟;王忠明;赵雯;丁李利;王园明;
申请日2015-05-08
分类号G06F17/50(20060101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人杨亚婷
地址 710024 陕西省西安市69信箱
入库时间 2022-08-23 10:06:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-19
授权
2015-12-02
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20150508
实质审查的生效
2015-11-04
公开
机译: “提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路”
机译: 提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路
机译: 离子定量分析方法和氟离子定量分析方法
机译:4-21研究重离子流对块状Si SRAM中多位翻转的影响
机译:重离子辐照下静态随机存取存储器中多位翻转反应的角度依赖性
机译:快速重离子在SRAM中引起的多位翻转
机译:MCNP6.2非结构化网格几何能力在微电子器件中重离子单事件效应研究和反应堆物理分析中的应用
机译:硅中重离子诱导的单粒子位移损伤。
机译:通过外部重原子效应实现高效热激活延迟荧光器件的新方法
机译:石墨烯和mos2场效应器件对抗快速重离子辐照的辐射硬度
机译:多种有限状态机缓解策略的重离子单粒子效应分析。