公开/公告号CN104778288B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201410014615.X
申请日2014-01-13
分类号
代理机构北京市磐华律师事务所;
代理人董巍
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 10:07:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-06
授权
授权
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20140113
实质审查的生效
2015-07-15
公开
公开
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 半导体装置的虚拟图案布置方法,虚拟图案布置程序和虚拟图案布置单元
机译: 聚合物化合物,化学增强的负阻组成以及可形成一种或多种重复单元的图案形成方法,该重复单元可选自基于N,N'-双(烷基羟甲基)四氢吡啶基甲基酮基酮的重复单元中的重复单元骨架