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公开/公告号CN106340553B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201610948341.0
发明设计人 王风娇;任飞;刘舒曼;翟慎强;刘俊岐;梁平;刘峰奇;王占国;
申请日2016-10-26
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 10:07:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-13
授权
2017-02-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20161026
实质审查的生效
2017-01-18
公开
机译: 基于量子阱结构中带内跃迁的电可调红外探测器和方法
机译: 使用原子级联跃迁的量子中继器
机译: 能够在比固有带隙小的区域内控制超出量子点材料固有吸收和发射区域的电子跃迁的量子点,并且还能控制向局部表面等离子体激元共振区域的电子跃迁
机译:GaAs增长率的漂移对声子太赫兹量子级联激光器中电子输运的影响
机译:从级联中分离出具有两个量子跃迁的跃迁
机译:同波长级联跃迁量子级联激光器
机译:模拟具有斜向光学跃迁的一阱和二阱太赫兹阶跃阱量子级联结构中的电子传输相干
机译:长波长(λ= 12-16 um)和级联跃迁量子级联激光器。
机译:强倾斜磁场中级联GaAs / AlGaAs量子阱结构的Landau能级系统中的子带太赫兹跃迁
机译:在SerterPene环化级联期间携带型携带型携带型碳粉型中间体的固有的原子迁移率变化
机译:Inas量子阱表面通道上的一维电子输运