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GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的方法和微型晶体生长炉

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本发明公开了GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构方法和微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验方法领域。该方法针对GIXRD技术的特点和原位实时测量晶体表面微熔膜结构的要求，设计了一种结构独特的微型晶体生长炉。该微型晶体生长炉采用顶部加热方式，使实验晶体上表面均匀熔化形成一层薄膜，该薄膜从表面到晶体可形成熔体、边界层和晶体的三个区域。采用不同的入射角的X射线对晶体表面薄膜进行掠入射扫描，可分别采集到薄膜不同深度处的衍射谱，以及与之相对应的薄膜不同深度的有序度信息，这是一种通过原位实时测量直接获得晶体生长时不同区域有序度信息的方法，是研究晶体生长的微观机理一种新方法。

著录项

公开/公告号CN103698348B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-27

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院合肥物质科学研究院;
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申请/专利号CN201310687332.7
发明设计人殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花;
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申请日2013-12-16
分类号G01N23/207(20060101);C30B9/00(20060101);C30B28/04(20060101);
代理机构
代理人
地址 230088 安徽省合肥市蜀山湖路350号中国科学院合肥物质科学研究院
入库时间 2022-08-23 10:10:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-04-27

授权

授权
2014-08-27

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/207 申请日:20131216

实质审查的生效
2014-04-02

公开

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