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在沟槽式功率器件中改善终端区低击穿电压的方法

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摘要

本发明涉及一种用于功率转换的MOSFET半导体器件，旨在提供具有较好非钳位感性开关切换能力的沟槽式功率半导体器件，改善沟槽式功率半导体器件在终端区的低雪崩击穿能力并提供制备该器件的方法。分步刻蚀端接沟槽和有源沟槽，制备具有预期深度值的端接沟槽后屏蔽端接沟槽，再次实施刻蚀的步骤直至加深有源沟槽到预期的深度。

著录项

  • 公开/公告号CN105489649B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201410478892.6

  • 发明设计人 丁永平;李亦衡;王晓彬;马督儿·博德;

    申请日2014-09-18

  • 分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人吴俊

  • 地址 美国加利福尼亚州94085桑尼维尔奥克米德大道475号

  • 入库时间 2022-08-23 10:12:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-19

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 登记生效日:20200430 变更前: 变更后: 申请日:20140918

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-06-15

    授权

    授权

  • 2016-05-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20140918

    实质审查的生效

  • 2016-04-13

    公开

    公开

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