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TDI检测装置、应用该装置的电子束设备以及应用该电子束设备的半导体器件制造方法

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包括TDI传感器(64)与馈通装置(50)的电子束设备。馈通装置有插座接触件(54)，将连接到分出不同环境的凸缘(51)上的插针(52)和与之组成对的另一插针(53)互连，此插针(52)、另一插针(53)与插座接触件(54)共组成连接单元且此接触件(54)有弹性件(61)。因而即会设置多个连接单元，也能将连接力保持到可防止传感器破损的水平。插针(53)与其中象素阵列已根据图象投影光学系统的光学特性取自适应组合的TDI传感器(64)连接。此传感器有多个积分级，能将图象投影光学系统视场减至尽可能地小，以可于此视场中将最大可接收畸变设定得较大。此外可将积分级个数确定成使TDI传感器的数据传输率可不减少但不会尽可能地增多插针数。最好可使行的计数数大致等于积分级个数。

著录项

公开/公告号CN1287587C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-11-29

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社荏原制作所;
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申请/专利号CN02809989.3
发明设计人畠山雅规;佐竹彻;村上武司;渡边贤治;野路伸治;
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申请日2002-05-14
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人杜日新
地址日本东京
入库时间 2022-08-23 08:59:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-07-20

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H04N 3/15 授权公告日:20061129 终止日期:20100514 申请日:20020514

专利权的终止
2006-11-29

授权

授权
2004-10-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-08-11

公开

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相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. TDI检测装置、馈通装置、应用这些装置的电子束设备以及应用以电子束设备的半导体器件制造方法 [P] . 中国专利： CN1520680A . 2004-08-11
2. 制造电子束装置的方法,制造图像形成装置的方法,用这些制造方法制造的电子束装置和图像形成装置,制造电子源的方法和设备,以及制造图像形成装置的设备 [P] . 中国专利： CN1335999A . 2002-02-13
3. The semiconductor device manufacturing method which uses the TDI detection device, the feedthrough equipment, the electronic beam device, and the said electronic beam device which utilize these [P] . 日本专利： JP2004533094A . 2004-10-28

机译：利用TDI检测装置，馈通设备，电子束装置以及利用它们的上述电子束装置的半导体装置的制造方法
4. TDI detecting device, a feed-through equipment, an electron beam apparatus using these device and equipment, and a semiconductor device manufacturing method using the same electron beam apparatus [P] . 美国专利： US7521692B2 . 2009-04-21

机译： TDI检测装置，馈通装置，使用这些装置的电子束装置以及使用该电子束装置的半导体装置的制造方法
5. A tdi detecting device, a feed-through equipment, an electron beam apparatus using these device and equipment, and a semiconductor device manufacturing method using the same electron beam apparatus [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1936953A3 . 2009-12-30

机译： Tdi检测装置，馈通装置，使用这些装置的电子束装置以及使用该电子束装置的半导体装置的制造方法