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应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法

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摘要

本发明公开了一种应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法，所述硅纳米砖阵列结构是由硅纳米砖单元排列而成的阵列，硅纳米砖单元由介质基底和介质基底上刻蚀的硅纳米砖构成；所述阵列中，所有介质基底的长宽高相等，硅纳米砖的长宽高根据位相需求设计。该硅纳米砖阵列结构可使平行于纳米砖长边方向的线偏振光和平行于纳米砖宽边方向的线偏振光经全息片衍射后呈现不同全息图案；利用视差效应，并配合偏振眼镜，即可观察到高信噪比、大视角和良好体验的三维立体全息效果。本发明工艺简单，可广泛用于显示、传感、防伪、信息存储等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN105843025B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN201610363922.8

  • 发明设计人 郑国兴;李子乐;吴伟标;刘国根;吕良宇;王宇;

    申请日2016-05-27

  • 分类号G03H1/04(20060101);G03H1/08(20060101);G03H1/16(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);B82Y20/00(20110101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人胡艳

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-12

    专利权的转移 IPC(主分类):G03H1/04 登记生效日:20190117 变更前: 变更后: 申请日:20160527

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-06-29

    授权

    授权

  • 2016-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03H1/04 申请日:20160527

    实质审查的生效

  • 2016-08-10

    公开

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