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提高纳米多孔硅物理微结构和光学特性稳定性的新方法

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本发明公开了一种提高多孔硅物理微结构和光学特性稳定性的新方法，是在多孔硅膜制备完成后，就立即对多孔硅材料的内表面使用过氧乙酸并加方波信号源进行氧化处理，使多孔硅内表面的硅悬空键和硅‑氢键与过氧乙酸中的氧原子结合或置换形成稳定的硅‑氧键膜。本发明可提高多孔硅薄膜的物理强度、物理微结构和光学特性的稳定性；有利于制备物理微结构和光学特性稳定的多孔硅厚膜；有利于探索使用多孔硅多层膜用于光子器件中，有可能制备出稳定性较强和均匀性较高的多孔硅多层器件‑‑多孔硅微腔。

著录项

公开/公告号CN106517080B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-10

原文格式PDF
申请/专利权人湖南文理学院;
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申请/专利号CN201610889553.6
发明设计人龙永福;
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申请日2016-10-12
分类号
代理机构常德市源友专利代理事务所;
代理人江妹
地址 415000 湖南省常德市武陵区洞庭大道西段388号
入库时间 2022-08-23 10:13:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-10

授权

授权
2017-04-19

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20161012

实质审查的生效
2017-03-22

公开

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