首页> 中国专利> 设计度量目标的方法、具有度量目标的衬底、测量重叠的方法、以及器件制造方法

设计度量目标的方法、具有度量目标的衬底、测量重叠的方法、以及器件制造方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

由光刻工艺形成度量目标，每个目标包括底部光栅和顶部光栅。可以通过使用辐射照明每个目标并且观测衍射辐射中非对称性而度量光刻工艺的重叠性能。选择度量配方和目标设计的参数以便于最大化重叠测量的精度而不是可重复性。方法包括计算在(i)表示由顶部光栅衍射的辐射的第一辐射分量与(ii)表示在穿过顶部光栅和插入层之后由底部光栅衍射的辐射的第二辐射分量之间的相对幅度和相对相位的至少一个。顶部光栅设计可以修改以使得相对幅度接近均一。度量配方中照明辐射的波长可以调节以使得相对相位接近π/2或3π/2。

著录项

公开/公告号CN106462076B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-22

原文格式PDF
申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201480079475.2
发明设计人 A·J·登博夫;K·布哈塔查里亚;
展开▼

申请日2014-08-01
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址荷兰维德霍温
入库时间 2022-08-23 10:13:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-22

授权

授权
2017-03-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20140801

实质审查的生效
2017-02-22

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 设计度量目标的方法、具有度量目标的衬底、测量重叠的方法、以及器件制造方法 [P] . 中国专利： CN106462076B . 2018.06.22
2. 度量方法、目标和衬底 [P] . 中国专利： CN107148597B . 2020.05.01
3. Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method [P] . 美国专利： US10025199B2 . 2018-07-17

机译：设计度量目标的方法，具有度量目标的基板，测量覆盖层的方法以及器件制造方法
4. Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method [P] . IL248982D0 . 2017-01-31

机译：设计度量目标的方法，具有度量目标的基板，测量覆盖层的方法以及器件制造方法
5. Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method. [P] . NL2013293A . 2016-03-31

机译：设计度量目标的方法，具有度量目标的基板，测量覆盖层的方法以及器件制造方法。