首页> 中国专利> PMOS源漏区离子注入方法、PMOS的制备方法

PMOS源漏区离子注入方法、PMOS的制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供了PMOS源漏区离子注入方法，其包括：首先，对半导体衬底中的源漏区进行硼注入；然后，对源漏区进行氟注入。本发明还提供了PMOS器件的制备方法。本发明的PMOS源漏区的离子注入方法和PMOS器件的制备方法，通过用硼注入代替现有的二氟化硼注入，减少了后续氟注入的剂量，从而有效缓解了衬底中的氟析出，减少了对光刻胶的腐蚀，提高了器件的质量。

著录项

公开/公告号CN103972108B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-22

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力集成电路制造有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201410215785.4
发明设计人邱裕明;
展开▼

申请日2014-05-20
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/265(20060101);
代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华;林彦之
地址 201315 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2022-08-23 10:13:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-22

授权

授权
2018-06-01

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/336 登记生效日:20180515 变更前: 变更后: 申请日:20140520

专利申请权、专利权的转移
2014-09-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20140520

实质审查的生效
2014-08-06

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. PMOS源漏区离子注入方法、PMOS的制备方法 [P] . 中国专利： CN103972108B . 2018.06.22
2. 一种PMOS源漏区离子注入方法及PMOS器件制造方法 [P] . 中国专利： CN104241106A . 2014-12-24
3. SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PMOS DEVICE WITH A SOURCE/DRAIN REGION FORMED USING A HEAVY ATOM P-TYPE IMPLANT AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF [P] . 世界知识产权组织专利： WO9933103A1 . 1999-07-01

机译：具有具有源/漏区的PMOS器件的半导体器件，该PMOS器件采用重原子P型注入制成，并且其制造方法
4. Source-drain regions for sub-micron CMOS devices are formed using a reduced number of masking steps for forming a lightly p-doped drain region for a PMOS and a halo region for an NMOS [P] . 德国专利： DE19939244A1 . 2000-03-02

机译：使用减少数量的掩模步骤来形成亚微米CMOS器件的源漏区，以形成用于PMOS的轻度p掺杂漏区和用于NMOS的晕圈区
5. Methods of forming source/drain regions for a PMOS transistor device with a germanium-containing channel region [P] . 美国专利： US9343300B1 . 2016-05-17

机译：形成具有含锗沟道区的PMOS晶体管器件的源/漏区的方法