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一种提升经时击穿测试有效性的方法

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本发明提供一种提升经时击穿测试有效性的方法，设定芯片漏电流的数值范围，若量测得到的芯片的漏电流位于所述数值范围之内，则对该芯片进行经时击穿的测试；若量测得到的芯片的漏电流位于所述数值范围之外，则不对该芯片进行经时击穿的测试。本发明提供的方法仅需对芯片进行漏电流测试，即可筛除会对TDDB测试产生不良影响的芯片，因此在进行TDDB测试时，不会产生即使测试至最大量测时间，也无法得到测试结果的现象，从而避免耽误经时击穿的测试时间，也避免损坏经时击穿的测试装置。

著录项

公开/公告号CN105742200B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-20

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力微电子有限公司;
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申请/专利号CN201610107358.3
发明设计人沈蕾;尹彬锋;邓娇娇;
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申请日2016-02-26
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人智云
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 10:14:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-20

授权

授权
2016-08-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20160226

实质审查的生效
2016-07-06

公开

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