首页> 中国专利> 使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化

使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化。考量芯片背面热移除不足的情况，模型化集成电路芯片上的装置由于自热及与其它(多个)装置的热耦合导致的温度变化。若要进行此模型化，必须使用测试集成电路(IC)芯片预先测定IC芯片上不同位置的虚热量对实际热量的比率。于测试期间，在测试IC芯片上的一个特定位置选择一个待作用为热源的测试装置，同时此测试IC芯片上其它位置的至少两个其它测试装置作用为温度传感器。对热源施加偏压，并且测定位于热源及传感器的温度变化。这些变化是用于计算待与此特定位置相关联的虚热量对实际热量比的值。

著录项

公开/公告号CN106294922B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-12

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
展开▼

申请/专利号CN201610257167.5
发明设计人 F·G·安德森;N·T·施密特;
展开▼

申请日2016-04-22
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 10:18:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-14

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F17/50 授权公告日:20181012 终止日期:20190422 申请日:20160422

专利权的终止
2018-10-12

授权

授权
2018-10-12

授权

授权
2017-02-01

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160422

实质审查的生效
2017-02-01

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160422

实质审查的生效
2017-02-01

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160422

实质审查的生效
2017-01-04

公开

公开
2017-01-04

公开

公开
2017-01-04

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化 [P] . 中国专利： CN106294922B . 2018.10.12
2. 通过局部晶片温度控制对晶片上的临界尺寸变化的补偿 [P] . 中国专利： CN1777974B . 2011.02.16
3. Modeling localized temperature changes on an integrated circuit chip using thermal potential theory [P] . 美国专利： US9971859B2 . 2018-05-15

机译：使用热势理论对集成电路芯片上的局部温度变化进行建模
4. Modeling localized temperature changes on an integrated circuit chip using thermal potential theory [P] . 美国专利： US9582621B2 . 2017-02-28

机译：使用热势理论对集成电路芯片上的局部温度变化进行建模
5. MODELING LOCALIZED TEMPERATURE CHANGES ON AN INTEGRATED CIRCUIT CHIP USING THERMAL POTENTIAL THEORY [P] . 美国专利： US2017147726A1 . 2017-05-25

机译：利用热势理论对集成芯片上的局部温度变化进行建模