公开/公告号CN104584343B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 IPG光子公司;
申请/专利号CN201380028022.2
申请日2013-05-29
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人倪斌
地址 美国马萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 10:18:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-25
授权
授权
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/02 申请日:20130529
实质审查的生效
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/02 申请日:20130529
实质审查的生效
2015-04-29
公开
公开
2015-04-29
公开
公开
机译: 用于制造激光二极管底座和激光二极管单元的激光烧蚀工艺
机译: 激光烧蚀工艺,用于制造激光二极管和激光二极管单元的底座
机译: 用于制造激光二极管底座和激光二极管单元的激光烧蚀工艺