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一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法

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本发明提供一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法，包括：高能粒子射入处于关态的MOS管的沟道区，电离出的大量的电子空穴对在电场的作用下形成瞬态电流脉冲，分析电子空穴对在体漏形成的反偏PN结空间电荷区的漂移过程，建立初步的节点电压恒定不变的漂移电流解析模型I(t)＝I₀·(e^‑αt‑e^‑βt)；通过解析计算得到脉冲峰值I₀的表达式；加入描述节点电压变化的模型表征节点电压和瞬态电流之间的关系，所述单粒子瞬态电流脉冲的电流源模型为：本发明的模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法建立的单粒子瞬态电流脉冲的电流源模型能准确拟合单粒子瞬态脉冲的长尾效应，对抗辐射电路的加固设计具有重要参考意义。

著录项

公开/公告号CN105608292B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-14

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
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申请/专利号CN201610044468.X
发明设计人郑云龙;桑泽华;林敏;杨根庆;邹世昌;
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申请日2016-01-22
分类号G06F17/50(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人余明伟
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 10:21:39

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-14

授权

授权
2016-06-22

著录事项变更 IPC(主分类):G06F17/50 变更前: 变更后: 申请日:20160122

著录事项变更
2016-06-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160122

实质审查的生效
2016-06-22

著录事项变更 IPC(主分类):G06F 17/50 变更前: 变更后: 申请日:20160122

著录事项变更
2016-06-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20160122

实质审查的生效
2016-05-25

公开

公开
2016-05-25

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