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I/O器件、用于向I/O器件提供ESD保护的方法和针对I/O器件的ESD保护器件

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描述了一种用于向输入/输出(I/O)器件提供静电放电(ESD)保护的方法、针对I/O器件的ESD保护器件和I/O器件的实施例。在一个实施例中，用于向I/O器件提供ESD保护的方法涉及：在ESD事件期间，激活开关器件以便断开I/O器件；以及在不存在ESD事件的情况下，去激活开关器件以便接通I/O器件。还描述了其它实施例。

著录项

公开/公告号CN105098746B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-11

原文格式PDF
申请/专利权人恩智浦有限公司;
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申请/专利号CN201510256056.8
发明设计人赖大伟;斯梅代斯·塔伊德;
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申请日2015-05-19
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王波波
地址荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2022-08-23 10:22:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-11

授权

授权
2015-12-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H02H9/02 申请日:20150519

实质审查的生效
2015-12-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H02H 9/02 申请日:20150519

实质审查的生效
2015-11-25

公开

公开
2015-11-25

公开

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1. I/O器件、用于向I/O器件提供ESD保护的方法和针对I/O器件的ESD保护器件 [P] . 中国专利： CN105098746B . 2018.12.11
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4. Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device [P] . 美国专利： US9620495B2 . 2017-04-11

机译：半导体器件和包括ESD保护器件的集成电路，ESD保护器件以及制造该半导体器件的方法
5. Method of manufacturing a semiconductor device comprising a semiconductor device and an ESD protection device comprising an ESD protection device. [P] . 日本专利： JP5732763B2 . 2015-06-10

机译：制造包括半导体器件的半导体器件的方法和包括ESD保护器件的ESD保护器件。