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基于石墨烯类二维材料保护层的拓扑绝缘体阵列型光电探测器及其制备方法和应用

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本发明公开了一种基于石墨烯类二维材料保护层的拓扑绝缘体阵列型光电探测器及其制备方法和应用。制备过程包括（1）在衬底上生长与之掺杂类型相反的拓扑绝缘体薄膜；（2）采用湿法转移方法获得石墨烯类二维材料保护层/PMMA堆叠结构并将其转移至拓扑绝缘体薄膜之上；（3）通过光刻、磁控溅射制备ITO阵列电极；（4）通过光刻、反应离子刻蚀将ITO阵列电极的阵列单元之间的拓扑绝缘体薄膜和石墨烯类二维材料刻蚀掉，得到光电探测器。本发明的方法可有效避免拓扑绝缘体直接接触有机液体而遭受损坏，可以与传统微纳工艺兼容，缩小单元探测器尺寸，提高集成度，获得宽光谱和超快的光电响应，有广泛的应用前景。

著录项

公开/公告号CN107425081B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-26

原文格式PDF
申请/专利权人中国人民解放军国防科学技术大学;
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申请/专利号CN201710508556.5
发明设计人孙红辉;池雅庆;江天;方粮;
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申请日2017-06-28
分类号H01L31/028(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/10(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人周长清;黄丽
地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号
入库时间 2022-08-23 10:26:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-26

授权

授权
2017-12-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/028 申请日:20170628

实质审查的生效
2017-12-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/028 申请日:20170628

实质审查的生效
2017-12-01

公开

公开
2017-12-01

公开

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2017-12-01

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