一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件

• 法律状态公告日

  法律状态信息

  法律状态

• 2020-02-18

  专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L29/778 合同备案号:X2020980000164 让与人:中国电子科技集团公司第五十五研究所 受让人:南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 发明名称:一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件 申请公布日:20160824 授权公告日:20190305 许可种类:普通许可 备案日期:20200119 申请日:20160418

  专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

• 2019-03-05

  授权

  授权

• 2019-03-05

  授权

  授权

• 2016-09-21

  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20160418

  实质审查的生效

• 2016-09-21

  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20160418

  实质审查的生效

• 2016-09-21

  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20160418

  实质审查的生效

• 2016-08-24

  公开

  公开

• 2016-08-24

  公开

  公开

• 2016-08-24

  公开

  公开

查看全部