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抗腐蚀导电膜及其脉冲偏压交替磁控溅射沉积方法和应用

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本发明涉及一种抗腐蚀导电膜及其脉冲偏压交替磁控溅射沉积方法和应用，抗腐蚀导电膜通过采用高低脉冲偏压交替的方法在基底表面依次沉积形成抗腐蚀保护层、应力过渡层和导电层得到。与现有技术相比，本发明通过调节高低偏压大小、沉积时间比例和交替次数，控制纳米多层抗腐蚀导电薄膜往导电性高趋势生长，这种偏压交替沉积策略优势在于一方面制备的纳米多层交替的涂层结构抑制了柱状结构的生长，避免形成腐蚀通道，提高了抗腐蚀性能，另一方面通过偏压调制改变了涂层微观组织结构，提高了导电性，还避免了电偶腐蚀现象，因而具有更优越的抗腐蚀性能、导电性能等综合性能，在燃料电池金属极板、输电线路接地电网设备等领域中具有巨大的应用前景。

著录项

公开/公告号CN108390075B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人上海交通大学;
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申请/专利号CN201810069493.2
发明设计人易培云;张伟鑫;彭林法;来新民;
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申请日2018-01-24
分类号H01M8/0206(20160101);H01M8/0208(20160101);H01M8/0213(20160101);H01M8/0228(20160101);C23C14/35(20060101);
代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人林君如
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2022-08-23 10:29:03

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-02

授权

授权
2018-09-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 8/0206 申请日:20180124

实质审查的生效
2018-09-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 8/0206 申请日:20180124

实质审查的生效
2018-08-10

公开

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2018-08-10

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2018-08-10

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