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一种可提高太赫兹及红外光学器件性能的单分散磁性纳米材料的制备方法

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本发明公开了一种可提高太赫兹及红外光学器件性能的单分散磁性纳米材料的制备方法，利用高温热解法制备粒径9‑11 nm的磁性氧化物纳米颗粒作为种子；通过种子生长法以步骤一获得的种子制备粒径14‑16 nm的磁性氧化物纳米粒子；将步骤二所得磁性氧化物纳米粒子滴加于太赫兹芯片上，并通过旋涂工艺制备均匀覆盖有磁性纳米颗粒的新型太赫兹芯片。本发明制备的磁性纳米材料分布均匀、稳定性好，粒径大小可控，能规模化生产；对太赫兹芯片的光电导天线结构不破坏，性能稳定，对光电天线性能提高显著。

著录项

公开/公告号CN106941209B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-09

原文格式PDF
申请/专利权人合肥工业大学;上海交通大学;
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申请/专利号CN201710023889.9
发明设计人赖伟恩;张倩;杨军;阮久福;邓光晟;桑磊;尹治平;
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申请日2017-01-13
分类号
代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司;
代理人张雁
地址 230009 安徽省合肥市屯溪路193号
入库时间 2022-08-23 10:29:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-09

授权

授权
2017-08-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q1/36 申请日:20170113

实质审查的生效
2017-08-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q 1/36 申请日:20170113

实质审查的生效
2017-07-11

公开

公开
2017-07-11

公开

公开
2017-07-11

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