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布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置及基板装置

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摘要

本发明提供布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置以及用以在积层板上的选择区域形成布线金属层的基板装置，包括有：在配置有积层板(103)的反应室(101)内导入有机金属分子气体，而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层(105)的步骤1；在所述吸附分子层形成之后，使所述反应室内的有机金属分子气体浓度减少或排气的步骤2；对所述积层板上的选择区域进行光照射的步骤3；使在所述积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤4；在所述选择区域中形成金属膜(110)的步骤5。

著录项

公开/公告号CN100343417C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-10-17

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社液晶先端技术开发中心;
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申请/专利号CN03805505.8
发明设计人青森繁;
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申请日2003-03-07
分类号
代理机构上海市华诚律师事务所;
代理人徐申民
地址日本神奈川县横浜市
入库时间 2022-08-23 08:59:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-08-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/04 授权公告日:20071017 申请日:20030307

专利权的终止
2007-10-17

授权

授权
2005-09-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-07-13

公开

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