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一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构

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本发明公开了一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构。光阳极制备方法包括以下步骤：a.采用电阻率为0.01～0.05Ω·cm的n型硅片；b.对硅片清洗后制备硅微米线阵列；c.以硅微米线阵列为基底，采用含有Fe³⁺的溶液，并在其中混入掺杂源离子溶液，作为生长氧化铁层的前驱液，对前驱液吸附的硅微米线阵列基底在空气中进行前期退火处理，得到硅/氧化铁微米线阵列；d.对硅/氧化铁微米线阵列基底在氮气或氩气氛围中进行后期退火处理；e.在后期退火后所得的硅/氧化铁微米线阵列基底的背面沉积导电层，并引出外置导线；f.在导电层上涂覆反水绝缘层。

著录项

公开/公告号CN107641817B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-05

原文格式PDF
申请/专利权人苏州大学;
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申请/专利号CN201710818779.1
发明设计人吴绍龙;周忠源;李孝峰;严继木;
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申请日2017-09-12
分类号C25B11/04(20060101);C25B1/04(20060101);
代理机构32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李阳
地址 215000 江苏省苏州市相城区济学路8号
入库时间 2022-08-23 10:29:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-05

授权

授权
2018-02-27

实质审查的生效 IPC(主分类):C25B11/04 申请日:20170912

实质审查的生效
2018-02-27

实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 11/04 申请日:20170912

实质审查的生效
2018-01-30

公开

公开
2018-01-30

公开

公开
2018-01-30

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