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一种在薄铍片上电沉积制备的铀靶及其制备方法

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摘要

本发明涉及核技术应用领域中铀靶的制备方法，特别涉及一种在薄铍片上电沉积制备的铀靶及其制备方法。本发明提供的在薄铍片上电沉积制备铀靶的方法，是在厚度30～100μm的铍片上制备1～10mg的铀靶。本发明操作简便、条件易于控制，且反应过程中无有害气体，也不产生有害物质，对环境友好。本方法制备得到的铀靶表面平整、致密，与铍片结合牢固，性能好，电沉积收率≥90％。

著录项

公开/公告号CN106702442B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-07

原文格式PDF
申请/专利权人西北核技术研究所;
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申请/专利号CN201611028301.0
发明设计人杜丽丽;凡金龙;伊小伟;张海涛;代义华;商建波;
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申请日2016-11-18
分类号
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人汪海艳
地址 710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
入库时间 2022-08-23 10:31:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-07

授权

授权
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C25D3/54 申请日:20161118

实质审查的生效
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 3/54 申请日:20161118

实质审查的生效
2017-05-24

公开

公开
2017-05-24

公开

公开

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