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改善掺杂多晶或非晶硅磷浓度片间均一性的方法和结构

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摘要

本发明公开了一种改善掺杂多晶或非晶硅磷浓度片间均一性的方法，采用炉管生长，磷烷通过3路喷嘴管路通入，3路喷嘴管路的顶端分别设置在晶舟的底部、中部和顶部；第一路喷嘴管路的顶部喷气；第二和三路喷嘴管路设置多个间隔排列的侧向出气孔；从底端到顶端的方向上，各管路的各侧向出气孔的孔径逐渐变大，且通过测试晶舟的各固定监控位置处的监控硅片的磷浓度来调节各侧向出气孔的孔径大小；通过测试沿整个晶舟位置的磷浓度曲线来调节各侧向出气孔的位置。本发明还公开了一种改善掺杂多晶或非晶硅磷浓度片间均一性的结构。本发明能提高硅片间磷浓度均匀性，能降低生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN104576330B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201410196868.3

  • 发明设计人 侯翔宇;周利明;朱晓斌;

    申请日2014-05-12

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁纪铁

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:33:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-11

    授权

    授权

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/223 申请日:20140512

    实质审查的生效

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/223 申请日:20140512

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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