公开/公告号CN1035737C
专利类型发明授权
公开/公告日1997-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;
申请/专利号CN93112818.8
申请日1993-12-24
分类号H01B12/00;H01L39/12;C04B35/00;C04B35/50;
代理机构中科专利代理有限责任公司;
代理人王幼明
地址 100080 北京市603信箱88分箱
入库时间 2022-08-23 08:54:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2004-02-18
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-08-27
授权
授权
1995-06-14
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1995-02-08
公开
公开
1995-01-25
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 具有高温超导体的高临界电流密度的模制品的生产方法
机译: 一种以高临界电流密度制备散装形式的y-ba-cu-o-超导体的方法。
机译: 具有高临界电流密度和高不可逆磁场的基于MgB2的超导体